SJ 20061-1992 半导体分立器件 CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

作者:标准资料网 时间:2024-05-15 01:31:31   浏览:8637   来源:标准资料网
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基本信息
标准名称:半导体分立器件 CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS146
中标分类: 农业、林业 >> 农业、林业综合 >> 技术管理
发布部门:中国电子工业总公司
发布日期:1992-11-19
实施日期:1993-05-01
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
提出单位:中国电子工业总公司科技质量局
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:中国电子技术标准化研究所
起草人:王长福、吴志龙、刘美英、张宗国
出版社:电子工业出版社
出版日期:1993-04-01
页数:11页
适用范围

本规范规定了CS146型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

前言

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引用标准

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

所属分类: 农业 林业 农业 林业综合 技术管理
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【英文标准名称】:MartensiticStainlessSteelforClasses1,2,and3ComponentsSectionIII,Division1
【原文标准名称】:1、2、3级马氏体不锈钢.第III节,第1部分
【标准号】:ASMEN-469-1-2001
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2001
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国机械工程师协会(US-ASME)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:BoilerandPressureVessel,MartensiticStainlessSteelforClasses1,2,and3ComponentsSectionIII,Division1
【中国标准分类号】:H40
【国际标准分类号】:
【页数】:
【正文语种】:英语


基本信息
标准名称:高强度石膏模设计与制造
中标分类: 航空、航天 >> 航空、航天综合 >> 基础标准与通用方法
发布日期:1994-10-31
实施日期:1995-01-01
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
出版日期:1900-01-01
页数:17页
适用范围

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引用标准

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所属分类: 航空 航天 航空 航天综合 基础标准与通用方法